Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R160P6ATMA1
IPB60R160P6ATMA1

IPB60R160P6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPX60R160P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415efd27711e0b Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+100.89 грн
2000+96.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R160P6ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPB60R160P6ATMA1 за ціною від 98.47 грн до 283.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB60R160P6ATMA1 IPB60R160P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPX60R160P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415efd27711e0b Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.23 грн
10+180.24 грн
100+130.93 грн
500+98.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160P6ATMA1 IPB60R160P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB60R160P6_DS_v02_02_EN-1731695.pdf MOSFETs HIGH POWER_PRICE/PERFORM
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.24 грн
10+201.36 грн
25+155.96 грн
100+126.54 грн
250+124.33 грн
500+103.73 грн
1000+99.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160P6ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPX60R160P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415efd27711e0b
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160P6ATMA1 IPB60R160P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160P6ATMA1 IPB60R160P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.