IPB60R170CFD7ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPB60R170CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb297b1bd19ca
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263-3-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+102.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R170CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263-3-2, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IPB60R170CFD7ATMA1 за ціною від 83.87 грн до 223.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB60R170CFD7ATMA1 IPB60R170CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R170CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb297b1bd19ca Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.68 грн
10+172.72 грн
100+137.46 грн
500+109.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R170CFD7ATMA1 IPB60R170CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB60R170CFD7_DataSheet_v02_00_EN-1622398.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.66 грн
10+160.49 грн
100+101.49 грн
250+100.79 грн
500+84.58 грн
1000+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R170CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R170CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb297b1bd19ca
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+215.68 грн
10+172.72 грн
100+137.46 грн
500+109.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R170CFD7ATMA1 Infineon_IPB60R170CFD7_DataSheet_v02_00_EN-1622398.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+223.66 грн
10+160.49 грн
100+101.49 грн
250+100.79 грн
500+84.58 грн
1000+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.