Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPB60R180C7ATMA1

IPB60R180C7ATMA1

Infineon-IPB60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac0f4f5e9f
Код товару: 152307
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPB60R180C7ATMA1 за ціною від 106.05 грн до 241.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Infineon Technologies 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Infineon Technologies 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Infineon Technologies 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Infineon Technologies 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+171.35 грн
10000+157.34 грн
15000+147.17 грн
20000+134.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180C7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24nC
на замовлення 928 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+189.13 грн
10+117.93 грн
100+106.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Infineon Technologies 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.10 грн
10+124.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Infineon Technologies 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+241.10 грн
114+124.95 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB60R180C7_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002838012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002838012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf
IPB60R180C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+117.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf
IPB60R180C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+117.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf
IPB60R180C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf
IPB60R180C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+171.35 грн
10000+157.34 грн
15000+147.17 грн
20000+134.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7.pdf
IPB60R180C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24nC
на замовлення 928 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+189.13 грн
10+117.93 грн
100+106.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf
IPB60R180C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+241.10 грн
10+124.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf
IPB60R180C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+241.10 грн
114+124.95 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 Infineon_IPB60R180C7_DS_v02_00_EN.pdf
IPB60R180C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 INFN-S-A0002838012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R180C7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 INFN-S-A0002838012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R180C7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.