Продукція > INFINEON > IPB60R180C7ATMA1
IPB60R180C7ATMA1

IPB60R180C7ATMA1 INFINEON

INFN-S-A0002838012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+115.54 грн
500+101.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R180C7ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm.

Інші пропозиції IPB60R180C7ATMA1 за ціною від 77.25 грн до 300.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+136.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002838012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+170.01 грн
10+143.60 грн
100+115.54 грн
500+101.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180C7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+179.91 грн
9+105.75 грн
24+99.62 грн
500+95.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB60R180C7_DS_v02_00_EN-3362323.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.57 грн
10+166.67 грн
100+108.15 грн
250+97.11 грн
500+89.75 грн
1000+77.98 грн
2000+77.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180C7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.89 грн
9+131.79 грн
24+119.55 грн
500+114.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+300.96 грн
46+269.44 грн
51+241.99 грн
100+212.75 грн
200+196.09 грн
500+166.46 грн
1000+153.38 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1
Код товару: 152307
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPB60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac0f4f5e9f Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac0f4f5e9f Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac0f4f5e9f Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.