Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPB60R180C7ATMA1

IPB60R180C7ATMA1

Infineon-IPB60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac0f4f5e9f
Код товару: 152307
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPB60R180C7ATMA1 за ціною від 60.78 грн до 344.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB60R180C7_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.86 грн
10+77.01 грн
500+66.41 грн
1000+60.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002838012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.58 грн
500+99.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+155.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002838012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+167.13 грн
10+141.17 грн
100+113.58 грн
500+99.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+344.21 грн
46+308.16 грн
51+276.76 грн
100+243.33 грн
200+224.27 грн
500+190.38 грн
1000+175.43 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPB60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac0f4f5e9f MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac0f4f5e9f Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac0f4f5e9f Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.