Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R180P7ATMA1
IPB60R180P7ATMA1

IPB60R180P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb60r180p7-ds-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+68.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R180P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm.

Інші пропозиції IPB60R180P7ATMA1 за ціною від 64.88 грн до 223.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r180p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+85.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r180p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+91.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2576642.pdf Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB60R180P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b8e590481 Description: MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.20 грн
10+108.13 грн
100+85.08 грн
500+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r180p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+167.76 грн
87+141.33 грн
100+133.19 грн
200+127.46 грн
500+107.12 грн
1000+96.74 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r180p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+190.11 грн
10+149.44 грн
25+147.56 грн
100+120.32 грн
250+104.85 грн
500+72.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r180p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+204.73 грн
76+160.94 грн
77+158.91 грн
100+129.57 грн
250+112.91 грн
500+77.94 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB60R180P7_DS_v02_01_EN-3362523.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.13 грн
10+142.98 грн
100+91.96 грн
250+83.87 грн
500+76.51 грн
1000+69.89 грн
2000+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r180p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+220.63 грн
58+212.50 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2576642.pdf Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+223.65 грн
10+164.23 грн
100+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r180p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB60R180P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b8e590481 Description: MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.