Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R280CFD7ATMA1
IPB60R280CFD7ATMA1

IPB60R280CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB60R280CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2a0d76e1ac5 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 400 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.02 грн
10+129.33 грн
100+89.14 грн
500+67.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R280CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 51W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPB60R280CFD7ATMA1 за ціною від 84.90 грн до 219.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB60R280CFD7ATMA1 IPB60R280CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB60R280CFD7_DataSheet_v02_00_EN-3164325.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 700-709 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.27 грн
10+180.25 грн
100+124.09 грн
250+114.65 грн
500+103.77 грн
1000+89.26 грн
2000+84.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280CFD7ATMA1 IPB60R280CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB60R280CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2a0d76e1ac5 Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.