Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R280P7ATMA1
IPB60R280P7ATMA1

IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb60r280p7-ds-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+66.24 грн
2000+59.14 грн
3000+56.77 грн
5000+50.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB60R280P7ATMA1 за ціною від 52.30 грн до 204.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 INFINEON infineon-ipb60r280p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.56 грн
200+74.75 грн
500+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 INFINEON infineon-ipb60r280p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.95 грн
10+109.37 грн
50+94.56 грн
200+74.75 грн
500+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB60R280P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 6048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.88 грн
10+124.01 грн
100+74.01 грн
500+60.40 грн
1000+56.03 грн
2000+54.06 грн
5000+52.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r280p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 6157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.58 грн
10+126.75 грн
100+86.52 грн
500+65.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 infineon-ipb60r280p7-ds-en.pdf
IPB60R280P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+94.56 грн
200+74.75 грн
500+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 infineon-ipb60r280p7-ds-en.pdf
IPB60R280P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+189.95 грн
10+109.37 грн
50+94.56 грн
200+74.75 грн
500+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 Infineon_IPB60R280P7_DS_v02_01_EN.pdf
IPB60R280P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 6048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+194.88 грн
10+124.01 грн
100+74.01 грн
500+60.40 грн
1000+56.03 грн
2000+54.06 грн
5000+52.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 infineon-ipb60r280p7-ds-en.pdf
IPB60R280P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 6157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+204.58 грн
10+126.75 грн
100+86.52 грн
500+65.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.