Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R280P7ATMA1
IPB60R280P7ATMA1

IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb60r280p7-ds-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+61.84 грн
3000+53.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 53W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm.

Інші пропозиції IPB60R280P7ATMA1 за ціною від 60.64 грн до 210.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r280p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+73.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r280p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+73.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r280p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r280p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 6042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
10+117.34 грн
50+89.40 грн
100+75.46 грн
500+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r280p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.05 грн
10+130.37 грн
100+102.45 грн
500+80.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r280p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+210.05 грн
109+130.37 грн
139+102.45 грн
500+80.93 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB60R280P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 5488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 INFINEON 2576643.pdf Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 INFINEON 2576643.pdf Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 infineon-ipb60r280p7-ds-v02_01-en.pdf
IPB60R280P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+73.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 infineon-ipb60r280p7-ds-v02_01-en.pdf
IPB60R280P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+73.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 infineon-ipb60r280p7-ds-v02_01-en.pdf
IPB60R280P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
295+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 infineon-ipb60r280p7-ds-en.pdf
IPB60R280P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 6042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+188.72 грн
10+117.34 грн
50+89.40 грн
100+75.46 грн
500+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 infineon-ipb60r280p7-ds-v02_01-en.pdf
IPB60R280P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+210.05 грн
10+130.37 грн
100+102.45 грн
500+80.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 infineon-ipb60r280p7-ds-v02_01-en.pdf
IPB60R280P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
68+210.05 грн
109+130.37 грн
139+102.45 грн
500+80.93 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 Infineon_IPB60R280P7_DS_v02_01_EN.pdf
IPB60R280P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 5488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 2576643.pdf
IPB60R280P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 2576643.pdf
IPB60R280P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.