IPB60R280P7ATMA1

IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies


infineon-ipb60r280p7-ds-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+58.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPB60R280P7ATMA1 за ціною від 54.06 грн до 200.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPB60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a7ddc6e0485 Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+100.37 грн
200+77.64 грн
500+58.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPB60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a7ddc6e0485 Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+170.97 грн
10+116.53 грн
50+100.37 грн
200+77.64 грн
500+58.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a7ddc6e0485 Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.70 грн
10+108.29 грн
100+73.92 грн
500+55.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB60R280P7_DS_v02_01_EN-3362379.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 9037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.81 грн
10+129.92 грн
100+77.34 грн
500+60.81 грн
1000+55.28 грн
2000+54.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R280P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a7ddc6e0485 Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R280P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.