Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R299CPAATMA1
IPB60R299CPAATMA1

IPB60R299CPAATMA1 Infineon Technologies

ipb60r299cp_rev2.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
203+174.82 грн
500+165.38 грн
1000+157.11 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 203 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R299CPAATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R299CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 96W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPB60R299CPAATMA1 за ціною від 157.11 грн до 283.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB60R299CPAATMA1 IPB60R299CPAATMA1 Infineon Technologies ipb60r299cp_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.82 грн
500+165.38 грн
1000+157.11 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1 IPB60R299CPAATMA1 Infineon Technologies ipb60r299cp_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.89 грн
10+235.99 грн
25+222.31 грн
100+201.40 грн
500+179.03 грн
1000+169.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1 IPB60R299CPAATMA1 Infineon Technologies ipb60r299cp_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+283.89 грн
61+235.99 грн
64+222.31 грн
100+201.40 грн
500+179.03 грн
1000+169.18 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1 IPB60R299CPAATMA1 INFINEON 2882460.pdf Description: INFINEON - IPB60R299CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1 IPB60R299CPAATMA1 INFINEON 2882460.pdf Description: INFINEON - IPB60R299CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1 ipb60r299cp_rev2.0.pdf
IPB60R299CPAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
203+174.82 грн
500+165.38 грн
1000+157.11 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1 ipb60r299cp_rev2.0.pdf
IPB60R299CPAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+283.89 грн
10+235.99 грн
25+222.31 грн
100+201.40 грн
500+179.03 грн
1000+169.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1 ipb60r299cp_rev2.0.pdf
IPB60R299CPAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+283.89 грн
61+235.99 грн
64+222.31 грн
100+201.40 грн
500+179.03 грн
1000+169.18 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1 2882460.pdf
IPB60R299CPAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R299CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1 2882460.pdf
IPB60R299CPAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R299CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.