IPB60R299CPATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 107.13 грн |
| 10+ | 80.11 грн |
| 25+ | 75.98 грн |
| 50+ | 69.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB60R299CPATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ CP, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 11A, Power dissipation: 96W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.299Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IPB60R299CPATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R299CPATMA1 | Infineon Technologies |
 MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CP |
на замовлення 839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB60R299CPATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CP
MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)