IPB60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 6A, Power dissipation: 41W, Case: D2PAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.36Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 13nC, Kind of package: reel.
Інші пропозиції IPB60R360P7ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R360P7 | Infineon |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB60R360P7 |
Виробник: Infineon
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)