Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB64N25S320ATMA1
IPB64N25S320ATMA1

IPB64N25S320ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb64n25s3-20-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+524.19 грн
10+341.41 грн
100+248.95 грн
500+224.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB64N25S320ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB64N25S320ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.

Інші пропозиції IPB64N25S320ATMA1 за ціною від 519.53 грн до 519.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB64N25S320ATMA1 IPB64N25S320ATMA1 Infineon Technologies infineon_ipb64n25s3_20_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 250V 64A D2PAK-2
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1 IPB64N25S320ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001299979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB64N25S320ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1 IPB64N25S320ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001299979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB64N25S320ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb64n25s3-20-datasheet-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+519.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1 infineon_ipb64n25s3_20_datasheet_en.pdf
IPB64N25S320ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 64A D2PAK-2
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1 INFN-S-A0001299979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB64N25S320ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB64N25S320ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1 INFN-S-A0001299979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB64N25S320ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB64N25S320ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1 infineon-ipb64n25s3-20-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+519.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.