Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R045C7ATMA2
IPB65R045C7ATMA2

IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+398.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB65R045C7ATMA2 за ціною від 337.58 грн до 943.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies ds_ipb65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+504.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies ds_ipb65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+505.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 INFINEON 1932588.pdf Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+571.83 грн
50+481.63 грн
100+399.02 грн
250+390.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies ds_ipb65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+615.43 грн
100+584.72 грн
500+554.01 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPB65R045C7_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+784.46 грн
10+513.65 грн
100+361.05 грн
500+356.91 грн
1000+337.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 INFINEON 1932588.pdf Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+785.26 грн
5+653.18 грн
10+521.09 грн
50+439.75 грн
100+365.19 грн
250+361.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies ds_ipb65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+871.01 грн
10+640.97 грн
25+630.18 грн
50+601.63 грн
100+451.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies ds_ipb65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+943.10 грн
22+669.60 грн
25+657.29 грн
50+627.45 грн
100+523.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043 Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 4437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+943.61 грн
10+629.71 грн
100+472.23 грн
500+402.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 46A; 227W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 93nC
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+550.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 ds_ipb65r045c7_2_1.pdf
IPB65R045C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+504.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 ds_ipb65r045c7_2_1.pdf
IPB65R045C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+505.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 1932588.pdf
IPB65R045C7ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+571.83 грн
50+481.63 грн
100+399.02 грн
250+390.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 ds_ipb65r045c7_2_1.pdf
IPB65R045C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+615.43 грн
100+584.72 грн
500+554.01 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 Infineon_IPB65R045C7_DS_v02_01_en.pdf
IPB65R045C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+784.46 грн
10+513.65 грн
100+361.05 грн
500+356.91 грн
1000+337.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 1932588.pdf
IPB65R045C7ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+785.26 грн
5+653.18 грн
10+521.09 грн
50+439.75 грн
100+365.19 грн
250+361.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 ds_ipb65r045c7_2_1.pdf
IPB65R045C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+871.01 грн
10+640.97 грн
25+630.18 грн
50+601.63 грн
100+451.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 ds_ipb65r045c7_2_1.pdf
IPB65R045C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+943.10 грн
22+669.60 грн
25+657.29 грн
50+627.45 грн
100+523.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043
IPB65R045C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 4437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+943.61 грн
10+629.71 грн
100+472.23 грн
500+402.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 46A; 227W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 93nC
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+550.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.