Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R045C7ATMA2
IPB65R045C7ATMA2

IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies

ds_ipb65r045c7_2_1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+298.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPB65R045C7ATMA2 за ціною від 341.73 грн до 804.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043 Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+378.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ds_ipb65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+419.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ds_ipb65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+461.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ds_ipb65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+586.46 грн
50+575.07 грн
100+552.97 грн
200+510.55 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Виробник : INFINEON 1932588.pdf Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+594.20 грн
50+524.17 грн
100+444.24 грн
250+418.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043 Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+763.18 грн
10+515.67 грн
100+384.54 грн
500+341.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Виробник : INFINEON 1932588.pdf Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+763.39 грн
5+678.38 грн
10+593.38 грн
50+495.82 грн
100+420.19 грн
250+396.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB65R045C7_DS_v02_01_en-1226920.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+804.22 грн
10+555.84 грн
100+360.48 грн
500+347.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ds_ipb65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ds_ipb65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.