Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R065C7ATMA2
IPB65R065C7ATMA2

IPB65R065C7ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPB65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed001420483e2ab1788
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+208.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R065C7ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB65R065C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 171W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB65R065C7ATMA2 за ціною від 239.55 грн до 604.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 Infineon Technologies 3638ds_ipb65r065c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+409.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 INFINEON INFNS28753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R065C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+484.85 грн
50+407.59 грн
100+336.20 грн
250+329.29 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed001420483e2ab1788 Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.38 грн
10+325.32 грн
100+246.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 Infineon Technologies 3638ds_ipb65r065c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+598.41 грн
35+405.31 грн
100+343.72 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPB65R065C7_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+604.85 грн
10+405.68 грн
100+259.57 грн
500+256.12 грн
1000+239.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 INFINEON INFNS28753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R065C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+604.85 грн
5+545.25 грн
10+484.85 грн
50+407.59 грн
100+336.20 грн
250+329.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 3638ds_ipb65r065c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPB65R065C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+409.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 INFNS28753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB65R065C7ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R065C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+484.85 грн
50+407.59 грн
100+336.20 грн
250+329.29 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 Infineon-IPB65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed001420483e2ab1788
IPB65R065C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+499.38 грн
10+325.32 грн
100+246.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 3638ds_ipb65r065c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPB65R065C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+598.41 грн
35+405.31 грн
100+343.72 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 Infineon_IPB65R065C7_DS_v02_00_en.pdf
IPB65R065C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+604.85 грн
10+405.68 грн
100+259.57 грн
500+256.12 грн
1000+239.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 INFNS28753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB65R065C7ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R065C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+604.85 грн
5+545.25 грн
10+484.85 грн
50+407.59 грн
100+336.20 грн
250+329.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.