IPB65R065C7ATMA2

IPB65R065C7ATMA2 Infineon Technologies


Infineon-IPB65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed001420483e2ab1788 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+253.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R065C7ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB65R065C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 171W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPB65R065C7ATMA2 за ціною від 228.86 грн до 772.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 3638ds_ipb65r065c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+439.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 Виробник : INFINEON INFNS28753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R065C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+477.01 грн
50+416.12 грн
100+359.35 грн
250+347.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed001420483e2ab1788 Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.97 грн
10+341.33 грн
100+276.52 грн
500+228.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 Виробник : INFINEON INFNS28753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R065C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+633.82 грн
5+555.42 грн
10+477.01 грн
50+416.12 грн
100+359.35 грн
250+347.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB65R065C7_DS_v02_00_en-1731836.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+643.72 грн
10+543.15 грн
25+448.03 грн
100+393.59 грн
250+381.08 грн
500+347.24 грн
1000+312.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 3638ds_ipb65r065c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+772.73 грн
18+705.62 грн
50+634.45 грн
100+562.77 грн
200+504.74 грн
500+447.95 грн
1000+407.86 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 3638ds_ipb65r065c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 3638ds_ipb65r065c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.