IPB65R075CFD7AATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 700.52 грн |
| 10+ | 578.48 грн |
| 100+ | 482.02 грн |
| 500+ | 399.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB65R075CFD7AATMA1 Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA, Power Dissipation (Max): 171W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V.
Інші пропозиції IPB65R075CFD7AATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IPB65R075CFD7AATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 32A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPB65R075CFD7AATMA1 | Infineon Technologies |
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
|
IPB65R075CFD7AATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPB65R075CFD7AATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 32A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 32A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB65R075CFD7AATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB65R075CFD7AATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.


