Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R090CFD7ATMA1
IPB65R090CFD7ATMA1

IPB65R090CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB65R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef432df49ce Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.09 грн
10+259.10 грн
100+186.34 грн
500+167.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R090CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 127W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPB65R090CFD7ATMA1 за ціною від 161.85 грн до 440.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB65R090CFD7ATMA1 IPB65R090CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB65R090CFD7_DataSheet_v02_00_EN-1954078.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.31 грн
10+313.03 грн
25+255.28 грн
100+195.69 грн
250+194.96 грн
500+163.32 грн
1000+161.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R090CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb65r090cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf SP005413362
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R090CFD7ATMA1 IPB65R090CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB65R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef432df49ce Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.