Технічний опис IPB65R090CFD7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB65R090CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 127W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 127W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPB65R090CFD7ATMA1 за ціною від 155.37 грн до 452.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB65R090CFD7ATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: HIGH POWER_NEWInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPB65R090CFD7ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 1015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPB65R090CFD7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R090CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 127W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPB65R090CFD7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPB65R090CFD7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R090CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 127W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 84 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPB65R090CFD7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 337.79 грн |
| 10+ | 238.92 грн |
| 100+ | 171.17 грн |
| 500+ | 155.37 грн |
| IPB65R090CFD7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 444.04 грн |
| 10+ | 293.42 грн |
| 100+ | 183.96 грн |
| 500+ | 169.16 грн |
| 1000+ | 157.88 грн |
| IPB65R090CFD7ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R090CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
Description: INFINEON - IPB65R090CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 444.04 грн |
| 10+ | 297.67 грн |
| IPB65R090CFD7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 700V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 452.99 грн |
| 49+ | 294.09 грн |
| 100+ | 247.54 грн |
| 500+ | 225.63 грн |
| IPB65R090CFD7ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R090CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPB65R090CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)