IPB65R095C7ATMA2

IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies


Infineon-IPB65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142092311ad00e6 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+179.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 128, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 128, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPB65R095C7ATMA2 за ціною від 158.96 грн до 472.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 3637ds_ipb65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+240.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 3637ds_ipb65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+306.42 грн
44+280.59 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 3637ds_ipb65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+312.35 грн
50+274.12 грн
100+259.47 грн
200+237.66 грн
500+211.34 грн
1000+181.97 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB65R095C7_DS_v02_00_en-1226921.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+424.00 грн
10+304.57 грн
25+240.57 грн
100+193.48 грн
250+189.81 грн
500+167.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Виробник : INFINEON 2255640.pdf Description: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 128
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+427.50 грн
100+354.05 грн
500+286.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142092311ad00e6 Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+436.90 грн
10+282.01 грн
100+203.04 грн
500+158.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Виробник : INFINEON 2255640.pdf Description: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 128
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+472.06 грн
10+427.50 грн
100+354.05 грн
500+286.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 3637ds_ipb65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 3637ds_ipb65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 3637ds_ipb65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.