Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R095C7ATMA2
IPB65R095C7ATMA2

IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPB65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142092311ad00e6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+179.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 128W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB65R095C7ATMA2 за ціною від 158.38 грн до 566.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies 3637ds_ipb65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+257.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies 3637ds_ipb65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+257.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies 3637ds_ipb65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+286.41 грн
500+271.08 грн
1000+256.94 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies 3637ds_ipb65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+286.41 грн
500+271.08 грн
1000+256.94 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies 3637ds_ipb65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+378.86 грн
42+343.74 грн
50+308.63 грн
100+285.75 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142092311ad00e6 Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.32 грн
10+280.99 грн
100+202.31 грн
500+158.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies 3637ds_ipb65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+459.48 грн
43+335.31 грн
100+254.03 грн
500+242.34 грн
1000+220.85 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPB65R095C7_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+467.89 грн
10+301.52 грн
100+194.53 грн
500+181.14 грн
1000+169.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 INFINEON 2255640.pdf Description: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+532.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies 3637ds_ipb65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+566.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 INFINEON 2255640.pdf Description: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 3637ds_ipb65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf
IPB65R095C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+257.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 3637ds_ipb65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf
IPB65R095C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+257.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 3637ds_ipb65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf
IPB65R095C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
124+286.41 грн
500+271.08 грн
1000+256.94 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 3637ds_ipb65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf
IPB65R095C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
124+286.41 грн
500+271.08 грн
1000+256.94 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 3637ds_ipb65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf
IPB65R095C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
38+378.86 грн
42+343.74 грн
50+308.63 грн
100+285.75 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 Infineon-IPB65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142092311ad00e6
IPB65R095C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+435.32 грн
10+280.99 грн
100+202.31 грн
500+158.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 3637ds_ipb65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf
IPB65R095C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+459.48 грн
43+335.31 грн
100+254.03 грн
500+242.34 грн
1000+220.85 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 Infineon_IPB65R095C7_DS_v02_00_en.pdf
IPB65R095C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+467.89 грн
10+301.52 грн
100+194.53 грн
500+181.14 грн
1000+169.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 2255640.pdf
IPB65R095C7ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+532.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 3637ds_ipb65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf
IPB65R095C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+566.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 2255640.pdf
IPB65R095C7ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.