Продукція > INFINEON > IPB65R099CFD7AATMA1
IPB65R099CFD7AATMA1

IPB65R099CFD7AATMA1 INFINEON

3919306.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R099CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 127W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+305.89 грн
100+228.60 грн
500+193.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R099CFD7AATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPB65R099CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 127W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm.

Інші пропозиції IPB65R099CFD7AATMA1 за ціною від 164.22 грн до 459.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB65R099CFD7AATMA1 IPB65R099CFD7AATMA1 Infineon Technologies infineonipb65r099cfd7adatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 253000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+353.86 грн
126000+324.91 грн
189000+303.91 грн
252000+277.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1 IPB65R099CFD7AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB65R099CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701714e8a372b6805 Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.50 грн
10+252.51 грн
100+181.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1 IPB65R099CFD7AATMA1 Infineon Technologies infineonipb65r099cfd7adatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+457.64 грн
40+356.90 грн
100+258.18 грн
500+248.04 грн
1000+216.09 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1 IPB65R099CFD7AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+459.66 грн
10+303.96 грн
100+190.30 грн
1000+164.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1 IPB65R099CFD7AATMA1 INFINEON 3919306.pdf Description: INFINEON - IPB65R099CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 127W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+459.66 грн
10+305.89 грн
100+228.60 грн
500+193.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1 infineonipb65r099cfd7adatasheetv0201en.pdf
IPB65R099CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 253000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+353.86 грн
126000+324.91 грн
189000+303.91 грн
252000+277.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1 Infineon-IPB65R099CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701714e8a372b6805
IPB65R099CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+392.50 грн
10+252.51 грн
100+181.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1 infineonipb65r099cfd7adatasheetv0201en.pdf
IPB65R099CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+457.64 грн
40+356.90 грн
100+258.18 грн
500+248.04 грн
1000+216.09 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1 Infineon-IPB65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IPB65R099CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+459.66 грн
10+303.96 грн
100+190.30 грн
1000+164.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1 3919306.pdf
IPB65R099CFD7AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R099CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 127W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+459.66 грн
10+305.89 грн
100+228.60 грн
500+193.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.