Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R110CFD7ATMA1
IPB65R110CFD7ATMA1

IPB65R110CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef4f3d049df
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+114.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R110CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB65R110CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 114W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB65R110CFD7ATMA1 за ціною від 126.96 грн до 430.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB65R110CFD7ATMA1 IPB65R110CFD7ATMA1 INFINEON 3189146.pdf Description: INFINEON - IPB65R110CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+167.75 грн
500+131.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1 IPB65R110CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef4f3d049df Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.34 грн
10+204.33 грн
100+145.02 грн
500+126.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1 IPB65R110CFD7ATMA1 INFINEON 3189146.pdf Description: INFINEON - IPB65R110CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.05 грн
10+236.00 грн
100+167.75 грн
500+131.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1 IPB65R110CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineonipb65r110cfd7datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+412.15 грн
51+278.89 грн
100+208.74 грн
500+188.40 грн
1000+158.37 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1 IPB65R110CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB65R110CFD7_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+430.88 грн
10+278.02 грн
100+178.32 грн
500+157.88 грн
1000+140.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1 3189146.pdf
IPB65R110CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R110CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+167.75 грн
500+131.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1 Infineon-IPB65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef4f3d049df
IPB65R110CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+320.34 грн
10+204.33 грн
100+145.02 грн
500+126.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1 3189146.pdf
IPB65R110CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R110CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+356.05 грн
10+236.00 грн
100+167.75 грн
500+131.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1 infineonipb65r110cfd7datasheetv0200en.pdf
IPB65R110CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
35+412.15 грн
51+278.89 грн
100+208.74 грн
500+188.40 грн
1000+158.37 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1 Infineon_IPB65R110CFD7_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPB65R110CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+430.88 грн
10+278.02 грн
100+178.32 грн
500+157.88 грн
1000+140.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.