Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R110CFDAATMA1
IPB65R110CFDAATMA1

IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+189.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB65R110CFDAATMA1 за ціною від 181.07 грн до 508.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+221.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+238.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Виробник : INFINEON INFNS19116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R110CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+267.59 грн
500+225.52 грн
1000+186.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+290.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 481000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+331.77 грн
240000+304.62 грн
360000+284.93 грн
480000+260.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+404.56 грн
33+387.18 грн
50+372.43 грн
100+346.94 грн
250+311.49 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPX65R110CFDA_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+473.93 грн
10+335.88 грн
100+214.13 грн
1000+181.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5 Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.34 грн
10+307.11 грн
100+223.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+508.68 грн
35+365.78 грн
50+332.60 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Виробник : INFINEON INFNS19116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R110CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+508.69 грн
10+365.62 грн
100+267.59 грн
500+225.52 грн
1000+186.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.