Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPB65R110CFDAATMA1

IPB65R110CFDAATMA1

Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5
Код товару: 220258
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPB65R110CFDAATMA1 за ціною від 179.03 грн до 547.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5 Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+209.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+260.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+261.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 474000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+291.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 INFINEON INFNS19116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R110CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 277.8mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+311.65 грн
100+237.64 грн
500+206.93 грн
1000+179.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPX65R110CFDA_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.69 грн
10+307.20 грн
100+203.69 грн
500+191.01 грн
1000+179.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 INFINEON INFNS19116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R110CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 277.8mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+482.69 грн
10+311.65 грн
100+237.64 грн
500+206.93 грн
1000+179.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+519.51 грн
36+402.72 грн
100+309.44 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5 Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.91 грн
10+354.52 грн
100+256.66 грн
500+201.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5
IPB65R110CFDAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+209.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf
IPB65R110CFDAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+260.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf
IPB65R110CFDAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+261.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf
IPB65R110CFDAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 474000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+291.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 INFNS19116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB65R110CFDAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R110CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 277.8mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+311.65 грн
100+237.64 грн
500+206.93 грн
1000+179.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 Infineon_IPX65R110CFDA_DS_v02_00_en.pdf
IPB65R110CFDAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+482.69 грн
10+307.20 грн
100+203.69 грн
500+191.01 грн
1000+179.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 INFNS19116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB65R110CFDAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R110CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 277.8mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+482.69 грн
10+311.65 грн
100+237.64 грн
500+206.93 грн
1000+179.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf
IPB65R110CFDAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
28+519.51 грн
36+402.72 грн
100+309.44 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5
IPB65R110CFDAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+547.91 грн
10+354.52 грн
100+256.66 грн
500+201.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Герконове реле KT05-1A-40L-SMD
Код товару: 220259
Додати до обраних Обраний товар
Реле
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.