IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 132.72 грн |
| 10+ | 130.66 грн |
| 25+ | 128.60 грн |
| 100+ | 122.02 грн |
| 250+ | 111.05 грн |
| 500+ | 104.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 114W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.103ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPB65R115CFD7AATMA1 за ціною від 104.85 грн до 448.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies |
 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A |
на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies |
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies |
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies |
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A |
на замовлення 100796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies |
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies |
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies |
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB65R115CFD7AATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS |
на замовлення 826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IPB65R115CFD7AATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 114W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.103ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPB65R115CFD7AATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 106+ | 132.72 грн |
| 108+ | 130.66 грн |
| 110+ | 128.60 грн |
| 112+ | 122.02 грн |
| 250+ | 111.05 грн |
| 500+ | 104.85 грн |
| IPB65R115CFD7AATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 197.28 грн |
| IPB65R115CFD7AATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 197.64 грн |
| IPB65R115CFD7AATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 100796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 154+ | 228.30 грн |
| 500+ | 216.59 грн |
| 1000+ | 203.71 грн |
| 10000+ | 185.15 грн |
| IPB65R115CFD7AATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 288.83 грн |
| IPB65R115CFD7AATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 330.98 грн |
| IPB65R115CFD7AATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 448.32 грн |
| 45+ | 317.02 грн |
| 100+ | 250.79 грн |
| 500+ | 218.20 грн |
| 1000+ | 182.38 грн |
| IPB65R115CFD7AATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB65R115CFD7AATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPB65R115CFD7AATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)