Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R115CFD7AATMA1
IPB65R115CFD7AATMA1

IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies

infineonipb65r115cfd7adatasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+133.61 грн
10+131.53 грн
25+129.46 грн
100+122.84 грн
250+111.80 грн
500+105.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 114W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.103ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB65R115CFD7AATMA1 за ціною від 105.55 грн до 451.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB65R115CFD7AATMA1 IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies infineonipb65r115cfd7adatasheetv0202en.pdf 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+133.61 грн
108+131.53 грн
110+129.46 грн
112+122.84 грн
250+111.80 грн
500+105.55 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1 IPB65R115CFD7AATMA1 INFINEON 3154679.pdf Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+183.37 грн
500+155.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1 IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies infineonipb65r115cfd7adatasheetv0202en.pdf 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+198.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1 IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies infineonipb65r115cfd7adatasheetv0202en.pdf 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+198.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1 IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies infineonipb65r115cfd7adatasheetv0202en.pdf 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 100796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+229.83 грн
500+218.05 грн
1000+205.08 грн
10000+186.39 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1 IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies infineonipb65r115cfd7adatasheetv0202en.pdf 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+290.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1 IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB65R115CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f32146887c81 Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1 IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB65R115CFD7A_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+396.35 грн
10+261.00 грн
100+162.11 грн
500+145.19 грн
1000+135.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1 IPB65R115CFD7AATMA1 INFINEON 3154679.pdf Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+411.15 грн
10+242.58 грн
100+183.37 грн
500+155.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1 IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies infineonipb65r115cfd7adatasheetv0202en.pdf 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+451.34 грн
45+319.15 грн
100+252.48 грн
500+219.67 грн
1000+183.60 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1 infineonipb65r115cfd7adatasheetv0202en.pdf
IPB65R115CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
106+133.61 грн
108+131.53 грн
110+129.46 грн
112+122.84 грн
250+111.80 грн
500+105.55 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1 3154679.pdf
IPB65R115CFD7AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+183.37 грн
500+155.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1 infineonipb65r115cfd7adatasheetv0202en.pdf
IPB65R115CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+198.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1 infineonipb65r115cfd7adatasheetv0202en.pdf
IPB65R115CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+198.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1 infineonipb65r115cfd7adatasheetv0202en.pdf
IPB65R115CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 100796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
154+229.83 грн
500+218.05 грн
1000+205.08 грн
10000+186.39 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1 infineonipb65r115cfd7adatasheetv0202en.pdf
IPB65R115CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+290.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon-IPB65R115CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f32146887c81
IPB65R115CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+340.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon_IPB65R115CFD7A_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPB65R115CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+396.35 грн
10+261.00 грн
100+162.11 грн
500+145.19 грн
1000+135.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1 3154679.pdf
IPB65R115CFD7AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+411.15 грн
10+242.58 грн
100+183.37 грн
500+155.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1 infineonipb65r115cfd7adatasheetv0202en.pdf
IPB65R115CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
32+451.34 грн
45+319.15 грн
100+252.48 грн
500+219.67 грн
1000+183.60 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.