IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 153.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 114W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.103ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB65R115CFD7AATMA1 за ціною від 132.58 грн до 238.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB65R115CFD7AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB65R115CFD7AATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 114W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.103ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB65R115CFD7AATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB65R115CFD7AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPB65R115CFD7AATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
IPB65R115CFD7AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |