IPB65R125CFD7ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 98W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 158.97 грн |
| 500+ | 142.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB65R125CFD7ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 98W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 98W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB65R125CFD7ATMA1 за ціною від 124.95 грн до 323.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB65R125CFD7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB65R125CFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPB65R125CFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005413371 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
IPB65R125CFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPB65R125CFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |