Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R150CFDATMA2
IPB65R150CFDATMA2

IPB65R150CFDATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+122.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R150CFDATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPB65R150CFDATMA2 за ціною від 116.83 грн до 321.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB65R150CFDATMA2 IPB65R150CFDATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063 Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+315.56 грн
10+216.26 грн
100+153.15 грн
500+118.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2 IPB65R150CFDATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPX65R150CFD_DS_v02_00_en-1227316.pdf MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+321.71 грн
10+229.49 грн
25+177.06 грн
100+152.39 грн
250+142.23 грн
500+126.27 грн
1000+116.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.