Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R150CFDATMA2
IPB65R150CFDATMA2

IPB65R150CFDATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+103.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R150CFDATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB65R150CFDATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 195.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 195.3W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB65R150CFDATMA2 за ціною від 103.61 грн до 347.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB65R150CFDATMA2 IPB65R150CFDATMA2 INFINEON 2255625.pdf Description: INFINEON - IPB65R150CFDATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 195.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195.3W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+161.99 грн
500+133.62 грн
1000+114.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2 IPB65R150CFDATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063 Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.21 грн
10+184.17 грн
100+130.03 грн
500+111.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2 IPB65R150CFDATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPX65R150CFD_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+325.63 грн
10+211.55 грн
100+129.69 грн
500+110.66 грн
1000+103.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2 IPB65R150CFDATMA2 INFINEON 2255625.pdf Description: INFINEON - IPB65R150CFDATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195.3W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.83 грн
10+229.42 грн
100+161.99 грн
500+133.62 грн
1000+114.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2 2255625.pdf
IPB65R150CFDATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R150CFDATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 195.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195.3W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+161.99 грн
500+133.62 грн
1000+114.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2 Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063
IPB65R150CFDATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+290.21 грн
10+184.17 грн
100+130.03 грн
500+111.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2 Infineon_IPX65R150CFD_DS_v02_00_en.pdf
IPB65R150CFDATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+325.63 грн
10+211.55 грн
100+129.69 грн
500+110.66 грн
1000+103.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2 2255625.pdf
IPB65R150CFDATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R150CFDATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195.3W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+347.83 грн
10+229.42 грн
100+161.99 грн
500+133.62 грн
1000+114.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.