Продукція > INFINEON > IPB65R190C7ATMA2
IPB65R190C7ATMA2

IPB65R190C7ATMA2 INFINEON

2255642.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R190C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 72W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.168ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+142.26 грн
500+107.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R190C7ATMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IPB65R190C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 72W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.168ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB65R190C7ATMA2 за ціною від 81.76 грн до 328.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB65R190C7ATMA2 IPB65R190C7ATMA2 Infineon Technologies 3635ds_ipb65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
500+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2 IPB65R190C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB65R190C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142095ff92801d1 Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.25 грн
10+165.92 грн
100+115.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2 IPB65R190C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPB65R190C7_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.00 грн
10+176.70 грн
100+107.13 грн
500+88.10 грн
1000+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2 IPB65R190C7ATMA2 INFINEON 2255642.pdf Description: INFINEON - IPB65R190C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+273.00 грн
10+179.26 грн
100+124.99 грн
500+96.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2 IPB65R190C7ATMA2 Infineon Technologies 3635ds_ipb65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+328.64 грн
63+226.06 грн
100+159.28 грн
500+128.22 грн
1000+111.29 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2 3635ds_ipb65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf
IPB65R190C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
188+188.58 грн
500+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2 Infineon-IPB65R190C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142095ff92801d1
IPB65R190C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+263.25 грн
10+165.92 грн
100+115.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2 Infineon_IPB65R190C7_DS_v02_01_en.pdf
IPB65R190C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+273.00 грн
10+176.70 грн
100+107.13 грн
500+88.10 грн
1000+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2 2255642.pdf
IPB65R190C7ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R190C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+273.00 грн
10+179.26 грн
100+124.99 грн
500+96.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2 3635ds_ipb65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf
IPB65R190C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
44+328.64 грн
63+226.06 грн
100+159.28 грн
500+128.22 грн
1000+111.29 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.