IPB65R190CFD7AATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 254.49 грн |
| 10+ | 183.55 грн |
| 100+ | 120.85 грн |
| 500+ | 107.17 грн |
| 1000+ | 91.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB65R190CFD7AATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 77W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPB65R190CFD7AATMA1 за ціною від 105.18 грн до 290.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB65R190CFD7AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPB65R190CFD7AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-Channel MOSFET Transistor |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
IPB65R190CFD7AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |