Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R190CFDAATMA1
IPB65R190CFDAATMA1

IPB65R190CFDAATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPX65R190CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043399628450139afa2346920a1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+110.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R190CFDAATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB65R190CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 151W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFDA, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB65R190CFDAATMA1 за ціною від 103.55 грн до 402.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB65R190CFDAATMA1 IPB65R190CFDAATMA1 Infineon Technologies ds_ipx65r190cfda_final2.0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fileiddb3a3043399628.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+154.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 IPB65R190CFDAATMA1 Infineon Technologies ds_ipx65r190cfda_final2.0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fileiddb3a3043399628.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+155.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 IPB65R190CFDAATMA1 INFINEON INFNS19512-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R190CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+161.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 IPB65R190CFDAATMA1 Infineon Technologies ds_ipx65r190cfda_final2.0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fileiddb3a3043399628.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 167000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+224.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 IPB65R190CFDAATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX65R190CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043399628450139afa2346920a1 Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.43 грн
10+197.51 грн
100+139.56 грн
500+112.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 IPB65R190CFDAATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX65R190CFDA-DS-v02_00-en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+322.96 грн
10+209.59 грн
100+129.09 грн
500+110.45 грн
1000+103.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 IPB65R190CFDAATMA1 INFINEON INFNS19512-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R190CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.02 грн
10+221.48 грн
100+161.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 IPB65R190CFDAATMA1 Infineon Technologies ds_ipx65r190cfda_final2.0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fileiddb3a3043399628.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+402.20 грн
52+263.55 грн
100+173.19 грн
250+164.60 грн
500+164.19 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 ds_ipx65r190cfda_final2.0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fileiddb3a3043399628.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7.pdf
IPB65R190CFDAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+154.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 ds_ipx65r190cfda_final2.0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fileiddb3a3043399628.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7.pdf
IPB65R190CFDAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+155.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 INFNS19512-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB65R190CFDAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R190CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+161.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 ds_ipx65r190cfda_final2.0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fileiddb3a3043399628.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7.pdf
IPB65R190CFDAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 167000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+224.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 Infineon-IPX65R190CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043399628450139afa2346920a1
IPB65R190CFDAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+311.43 грн
10+197.51 грн
100+139.56 грн
500+112.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 Infineon-IPX65R190CFDA-DS-v02_00-en.pdf
IPB65R190CFDAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+322.96 грн
10+209.59 грн
100+129.09 грн
500+110.45 грн
1000+103.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 INFNS19512-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB65R190CFDAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R190CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+331.02 грн
10+221.48 грн
100+161.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 ds_ipx65r190cfda_final2.0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fileiddb3a3043399628.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7.pdf
IPB65R190CFDAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+402.20 грн
52+263.55 грн
100+173.19 грн
250+164.60 грн
500+164.19 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.