Продукція > INFINEON > IPB65R190CFDATMA1
IPB65R190CFDATMA1

IPB65R190CFDATMA1 INFINEON

Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+141.16 грн
500+101.51 грн
1000+91.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R190CFDATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm.

Інші пропозиції IPB65R190CFDATMA1 за ціною від 91.49 грн до 276.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB65R190CFDATMA1 IPB65R190CFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3956ds_ipx65r190cfd_2_7.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfi.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
173+180.32 грн
500+171.00 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1 IPB65R190CFDATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b Description: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+276.30 грн
10+180.76 грн
100+141.16 грн
500+101.51 грн
1000+91.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1 IPB65R190CFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3956ds_ipx65r190cfd_2_7.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfi.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1 IPB65R190CFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1 IPB65R190CFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPX65R190CFD_DS_v02_07_en-3165770.pdf MOSFET N-Ch 650V 17.5A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1 IPB65R190CFDATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2FCE3F865B1BF&compId=IPB65R190CFD-DTE.pdf?ci_sign=29fd38479d7b134b2403a81f7a99daed4ae2ab33 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.