Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R190CFDATMA2
IPB65R190CFDATMA2

IPB65R190CFDATMA2 Infineon Technologies

DS_IPX65R190CFD__2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.74 грн
10+162.20 грн
100+113.37 грн
500+93.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R190CFDATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 151W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPB65R190CFDATMA2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB65R190CFDATMA2 Виробник : Infineon DS_IPX65R190CFD__2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA2 IPB65R190CFDATMA2 Виробник : Infineon Technologies 3956ds_ipx65r190cfd_2_7.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfi.pdf 650V Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA2 IPB65R190CFDATMA2 Виробник : Infineon Technologies 3956ds_ipx65r190cfd_2_7.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfi.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA2 IPB65R190CFDATMA2 Виробник : Infineon Technologies 3956ds_ipx65r190cfd_2_7.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfi.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA2 IPB65R190CFDATMA2 Виробник : Infineon Technologies DS_IPX65R190CFD__2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA2 IPB65R190CFDATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPX65R190CFD_DS_v02_07_en-1485079.pdf MOSFETs N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.