Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R230CFD7AATMA1
IPB65R230CFD7AATMA1

IPB65R230CFD7AATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPB65R230CFD7A_DataSheet_v02_02_EN-3362350.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.15 грн
10+179.36 грн
25+147.87 грн
100+116.24 грн
500+94.90 грн
1000+90.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R230CFD7AATMA1 Infineon Technologies

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB65R230CFD7AATMA1 за ціною від 91.61 грн до 245.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB65R230CFD7AATMA1 IPB65R230CFD7AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB65R230CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f3215b397c84 Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.11 грн
10+168.36 грн
100+119.37 грн
500+91.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R230CFD7AATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb65r230cfd7a-datasheet-v02_02-en.pdf N-Channel MOSFET Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R230CFD7AATMA1 IPB65R230CFD7AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB65R230CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f3215b397c84 Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.