Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R420CFDATMA1
IPB65R420CFDATMA1

IPB65R420CFDATMA1 Infineon Technologies

infineonipd65r420cfddatasheetv0207en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
317+98.29 грн
500+88.46 грн
1000+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R420CFDATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPB65R420CFDATMA1 за ціною від 70.14 грн до 98.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB65R420CFDATMA1 IPB65R420CFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd65r420cfddatasheetv0207en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
317+98.29 грн
500+88.46 грн
1000+81.58 грн
10000+70.14 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1 IPB65R420CFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd65r420cfddatasheetv0207en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
317+98.29 грн
500+88.46 грн
1000+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1 IPB65R420CFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPx65R420CFD.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1 IPB65R420CFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPx65R420CFD.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1 IPB65R420CFDATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8C604103FD1BF&compId=IPB65R420CFD-DTE.pdf?ci_sign=ed2a0bd750ba6a4b2d4e4b489e0ca0daa3c18692 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 310W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 310W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.