Результат пошуку "ipb65r420cfdatma1" : 7

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB65R420CFDATMA1 IPB65R420CFDATMA1 Infineon Technologies infineonipd65r420cfddatasheetv0207en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+97.36 грн
500+87.63 грн
1000+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1 IPB65R420CFDATMA1 Infineon Technologies infineonipd65r420cfddatasheetv0207en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+97.36 грн
500+87.63 грн
1000+80.81 грн
10000+69.47 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1 IPB65R420CFDATMA1 Infineon Technologies infineonipd65r420cfddatasheetv0207en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+97.36 грн
500+87.63 грн
1000+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1 IPB65R420CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8C604103FD1BF&compId=IPB65R420CFD-DTE.pdf?ci_sign=ed2a0bd750ba6a4b2d4e4b489e0ca0daa3c18692 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 310W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 310W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1 IPB65R420CFDATMA1 Infineon Technologies IPx65R420CFD.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1 IPB65R420CFDATMA1 Infineon Technologies IPx65R420CFD.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1 infineonipd65r420cfddatasheetv0207en.pdf
IPB65R420CFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
317+97.36 грн
500+87.63 грн
1000+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1 infineonipd65r420cfddatasheetv0207en.pdf
IPB65R420CFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
317+97.36 грн
500+87.63 грн
1000+80.81 грн
10000+69.47 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1 infineonipd65r420cfddatasheetv0207en.pdf
IPB65R420CFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
317+97.36 грн
500+87.63 грн
1000+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8C604103FD1BF&compId=IPB65R420CFD-DTE.pdf?ci_sign=ed2a0bd750ba6a4b2d4e4b489e0ca0daa3c18692
IPB65R420CFDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 310W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 310W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1 IPx65R420CFD.pdf
IPB65R420CFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1 IPx65R420CFD.pdf
IPB65R420CFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.