Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R660CFDAATMA1
IPB65R660CFDAATMA1

IPB65R660CFDAATMA1 Infineon Technologies

INFN-S-A0003823031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+63.04 грн
2000+56.36 грн
3000+55.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R660CFDAATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFDA, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB65R660CFDAATMA1 за ціною від 48.91 грн до 194.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB65R660CFDAATMA1 IPB65R660CFDAATMA1 INFINEON INFN-S-A0003823031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.79 грн
500+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1 IPB65R660CFDAATMA1 INFINEON INFN-S-A0003823031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.15 грн
10+107.72 грн
100+77.79 грн
500+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1 IPB65R660CFDAATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX65R660CFDA-DS-v02_03-EN.pdf MOSFETs N-Ch 650V 6A D2PAK-2
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.48 грн
10+111.05 грн
100+68.51 грн
500+56.74 грн
1000+52.16 грн
2000+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1 IPB65R660CFDAATMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0003823031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.68 грн
10+119.57 грн
100+81.96 грн
500+61.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1 IPB65R660CFDAATMA1 Infineon Technologies 5964976703430853ds_ipx65r660cfda_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+194.28 грн
116+122.88 грн
117+121.65 грн
118+116.14 грн
142+89.34 грн
250+84.91 грн
500+76.47 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1 Infineon INFN-S-A0003823031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1 INFN-S-A0003823031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB65R660CFDAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+77.79 грн
500+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1 INFN-S-A0003823031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB65R660CFDAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+175.15 грн
10+107.72 грн
100+77.79 грн
500+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1 Infineon-IPX65R660CFDA-DS-v02_03-EN.pdf
IPB65R660CFDAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 6A D2PAK-2
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+187.48 грн
10+111.05 грн
100+68.51 грн
500+56.74 грн
1000+52.16 грн
2000+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1 INFN-S-A0003823031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB65R660CFDAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+192.68 грн
10+119.57 грн
100+81.96 грн
500+61.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1 5964976703430853ds_ipx65r660cfda_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bf.pdf
IPB65R660CFDAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
73+194.28 грн
116+122.88 грн
117+121.65 грн
118+116.14 грн
142+89.34 грн
250+84.91 грн
500+76.47 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1 INFN-S-A0003823031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.