Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R660CFDATMA1

IPB65R660CFDATMA1 Infineon Technologies

Name: IPB65R660CFDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 12287511-3
Price: 374.82 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	124.94 грн
10+	108.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPB65R660CFDATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPB65R660CFDATMA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IPB65R660CFDATMA1	Виробник : Infineon / IR	MOSFET N-Ch 650V 6A D2PAK-2 CoolMOS CFD2	на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
IPB65R660CFDATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 650V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPB65R660CFDATMA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	IPB65R660CFDATMA1 SMD N channel transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPB65R660CFDATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.