Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB70N10S312ATMA1
IPB70N10S312ATMA1

IPB70N10S312ATMA1 Infineon Technologies

ipp_b_i70n10s3-12_neu.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+127.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB70N10S312ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB70N10S312ATMA1 за ціною від 88.28 грн до 287.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB70N10S312ATMA1 IPB70N10S312ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I70N10S3_12-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a909803815967&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.17 грн
10+171.51 грн
100+119.95 грн
500+91.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB70N10S312ATMA1 IPB70N10S312ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I70N10S3_12_DataSheet_v01_02_EN-3362437.pdf MOSFETs N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.53 грн
10+186.97 грн
100+114.03 грн
500+95.64 грн
1000+88.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB70N10S312ATMA1 IPB70N10S312ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i70n10s3-12_neu.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB70N10S312ATMA1 IPB70N10S312ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I70N10S3_12-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a909803815967&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.