IPB70N10S312ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 86.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB70N10S312ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPB70N10S312ATMA1 за ціною від 76.00 грн до 258.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB70N10S312ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB70N10S312ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB70N10S312ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|