Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB70N12S311ATMA1
IPB70N12S311ATMA1

IPB70N12S311ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B_I70N12S3-11-Data-Sheet-02-Infineon-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf9c67f7fff Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
273+83.46 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB70N12S311ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB70N12S311ATMA1 за ціною від 117.71 грн до 231.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB70N12S311ATMA1 IPB70N12S311ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I70N12S3_11_Data_Sheet_02_Infineon_-1730605.pdf MOSFET N-CHANNEL 100+
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.74 грн
10+204.74 грн
100+143.46 грн
500+117.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB70N12S311ATMA1 IPB70N12S311ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I70N12S3-11-Data-Sheet-02-Infineon-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf9c67f7fff Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.