Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB720P15LMATMA1
IPB720P15LMATMA1

IPB720P15LMATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB720P15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9d41c3b4f5e
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 75 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+166.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB720P15LMATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB720P15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 41 A, 0.0601 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0601ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm.

Інші пропозиції IPB720P15LMATMA1 за ціною від 178.22 грн до 457.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB720P15LMATMA1 IPB720P15LMATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb720p15lm-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+230.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 IPB720P15LMATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb720p15lm-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+249.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 IPB720P15LMATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb720p15lm-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+260.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 IPB720P15LMATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb720p15lm-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+327.35 грн
10+301.83 грн
25+286.62 грн
100+215.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 IPB720P15LMATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb720p15lm-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+327.35 грн
47+301.83 грн
50+286.62 грн
100+215.33 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 IPB720P15LMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB720P15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9d41c3b4f5e Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 75 V
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.35 грн
10+284.49 грн
50+224.45 грн
100+192.52 грн
500+178.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 IPB720P15LMATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb720p15lm-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+457.14 грн
34+426.43 грн
50+388.63 грн
100+362.22 грн
200+325.90 грн
500+294.64 грн
1000+273.38 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 IPB720P15LMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB720P15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 6796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 IPB720P15LMATMA1 INFINEON Infineon-IPB720P15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9d41c3b4f5e Description: INFINEON - IPB720P15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 41 A, 0.0601 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 IPB720P15LMATMA1 INFINEON Infineon-IPB720P15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9d41c3b4f5e Description: INFINEON - IPB720P15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 41 A, 0.0601 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0601ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 infineon-ipb720p15lm-datasheet-v02_00-en.pdf
IPB720P15LMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+230.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 infineon-ipb720p15lm-datasheet-v02_00-en.pdf
IPB720P15LMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+249.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 infineon-ipb720p15lm-datasheet-v02_00-en.pdf
IPB720P15LMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+260.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 infineon-ipb720p15lm-datasheet-v02_00-en.pdf
IPB720P15LMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+327.35 грн
10+301.83 грн
25+286.62 грн
100+215.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 infineon-ipb720p15lm-datasheet-v02_00-en.pdf
IPB720P15LMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+327.35 грн
47+301.83 грн
50+286.62 грн
100+215.33 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 Infineon-IPB720P15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9d41c3b4f5e
IPB720P15LMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 75 V
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+440.35 грн
10+284.49 грн
50+224.45 грн
100+192.52 грн
500+178.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 infineon-ipb720p15lm-datasheet-v02_00-en.pdf
IPB720P15LMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+457.14 грн
34+426.43 грн
50+388.63 грн
100+362.22 грн
200+325.90 грн
500+294.64 грн
1000+273.38 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 Infineon-IPB720P15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf
IPB720P15LMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 6796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 Infineon-IPB720P15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9d41c3b4f5e
IPB720P15LMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB720P15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 41 A, 0.0601 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 Infineon-IPB720P15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9d41c3b4f5e
IPB720P15LMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB720P15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 41 A, 0.0601 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0601ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.