IPB80N03S4L03 Infineon Technologies


INFNS14810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
272+80.86 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80N03S4L03 Infineon Technologies

Description: IPB80N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUT, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V.

Інші пропозиції IPB80N03S4L03

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB80N03S4L-03 IPB80N03S4L-03 Infineon Technologies INFNS14810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPB80N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L-03 IPB80N03S4L-03 Infineon Technologies INFNS14810_1-2519763.pdf MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L-03 INFNS14810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB80N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L-03 INFNS14810_1-2519763.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.