Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80N03S4L03ATMA1
IPB80N03S4L03ATMA1

IPB80N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies

IPx80N03S4L-03%2C04.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
186+106.12 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB80N03S4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 94W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.

Інші пропозиції IPB80N03S4L03ATMA1 за ціною від 87.91 грн до 189.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB80N03S4L03ATMA1 IPB80N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies ipb80n03s4l-03_ipp_i80n03s4l_04_ds_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.28 грн
10+175.61 грн
25+174.43 грн
100+143.49 грн
250+131.88 грн
500+109.12 грн
1000+93.91 грн
3000+88.67 грн
6000+87.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L03ATMA1 IPB80N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies ipb80n03s4l-03_ipp_i80n03s4l_04_ds_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.28 грн
80+175.61 грн
81+174.43 грн
100+143.49 грн
250+131.88 грн
500+109.12 грн
1000+93.91 грн
3000+88.67 грн
6000+87.91 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L03ATMA1 IPB80N03S4L03ATMA1 INFINEON IPx80N03S4L-03%2C04.pdf Description: INFINEON - IPB80N03S4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L03ATMA1 IPB80N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies infns14810_1-2271095.pdf MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L03ATMA1 IPB80N03S4L03ATMA1 INFINEON IPx80N03S4L-03%2C04.pdf Description: INFINEON - IPB80N03S4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L03ATMA1 ipb80n03s4l-03_ipp_i80n03s4l_04_ds_2_0.pdf
IPB80N03S4L03ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+189.28 грн
10+175.61 грн
25+174.43 грн
100+143.49 грн
250+131.88 грн
500+109.12 грн
1000+93.91 грн
3000+88.67 грн
6000+87.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L03ATMA1 ipb80n03s4l-03_ipp_i80n03s4l_04_ds_2_0.pdf
IPB80N03S4L03ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+189.28 грн
80+175.61 грн
81+174.43 грн
100+143.49 грн
250+131.88 грн
500+109.12 грн
1000+93.91 грн
3000+88.67 грн
6000+87.91 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L03ATMA1 IPx80N03S4L-03%2C04.pdf
IPB80N03S4L03ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N03S4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L03ATMA1 infns14810_1-2271095.pdf
IPB80N03S4L03ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L03ATMA1 IPx80N03S4L-03%2C04.pdf
IPB80N03S4L03ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N03S4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.