IPB80N04S404ATMA1

IPB80N04S404ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPP_B_I80N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c71d4085dfa&ack=t Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80N04S404ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB80N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPB80N04S404ATMA1 за ціною від 52.07 грн до 294.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB80N04S404ATMA1 IPB80N04S404ATMA1 Виробник : INFINEON 2354649.pdf Description: INFINEON - IPB80N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+135.35 грн
500+91.96 грн
1000+67.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S404ATMA1 IPB80N04S404ATMA1 Виробник : INFINEON 2354649.pdf Description: INFINEON - IPB80N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.15 грн
10+145.25 грн
100+135.35 грн
500+91.96 грн
1000+67.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S404ATMA1 IPB80N04S404ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c71d4085dfa&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.53 грн
10+101.92 грн
100+69.41 грн
500+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S404ATMA1 IPB80N04S404ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n04s4-04_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+294.86 грн
63+196.23 грн
68+182.00 грн
100+148.05 грн
200+128.91 грн
1000+111.55 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S404ATMA1 IPB80N04S404ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n04s4-04_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S404ATMA1 IPB80N04S404ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n04s4-04_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S404ATMA1 IPB80N04S404ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n04s4-04_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S404ATMA1 IPB80N04S404ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I80N04S4_04_DS_v01_00_en-1518478.pdf MOSFETs N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.