Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80N06S209ATMA2
IPB80N06S209ATMA2

IPB80N06S209ATMA2 Infineon Technologies

INFNS09526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 25 V
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.76 грн
10+ 141.78 грн
100+ 112.81 грн
500+ 89.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80N06S209ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPB80N06S209ATMA2 за ціною від 73.07 грн до 189.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB80N06S209ATMA2 IPB80N06S209ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_B80N06S2_09_DS_v01_00_en-1732005.pdf MOSFET MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+189.87 грн
10+ 155.83 грн
100+ 107.61 грн
250+ 106.95 грн
500+ 91.67 грн
1000+ 76.39 грн
2000+ 73.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB80N06S209ATMA2 IPB80N06S209ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b80n06s2-09_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB80N06S209ATMA2 IPB80N06S209ATMA2 Виробник : Infineon Technologies INFNS09526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 25 V
товар відсутній