Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80N06S2H5ATMA2
IPB80N06S2H5ATMA2

IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B80N06S2_H5-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4333c6c5ac2&ack=t
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
154+127.30 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB80N06S2H5ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 5200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB80N06S2H5ATMA2 за ціною від 154.86 грн до 260.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB80N06S2H5ATMA2 IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon Technologies infineonippb80n06s2h5dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+154.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2H5ATMA2 IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon Technologies infineonippb80n06s2h5dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+173.27 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2H5ATMA2 IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon Technologies infineonippb80n06s2h5dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+173.27 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2H5ATMA2 IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon Technologies infineonippb80n06s2h5dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+201.07 грн
4000+184.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2H5ATMA2 IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon Technologies infineonippb80n06s2h5dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+260.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2H5ATMA2 IPB80N06S2H5ATMA2 INFINEON 4425944.pdf Description: INFINEON - IPB80N06S2H5ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 5200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2H5ATMA2 IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPP_B80N06S2_H5_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2H5ATMA2 IPB80N06S2H5ATMA2 INFINEON 4425944.pdf Description: INFINEON - IPB80N06S2H5ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 5200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2H5ATMA2 infineonippb80n06s2h5dsv0100en.pdf
IPB80N06S2H5ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+154.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2H5ATMA2 infineonippb80n06s2h5dsv0100en.pdf
IPB80N06S2H5ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
203+173.27 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2H5ATMA2 infineonippb80n06s2h5dsv0100en.pdf
IPB80N06S2H5ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
203+173.27 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2H5ATMA2 infineonippb80n06s2h5dsv0100en.pdf
IPB80N06S2H5ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+201.07 грн
4000+184.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2H5ATMA2 infineonippb80n06s2h5dsv0100en.pdf
IPB80N06S2H5ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+260.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2H5ATMA2 4425944.pdf
IPB80N06S2H5ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S2H5ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 5200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon_IPP_B80N06S2_H5_DS_v01_00_en.pdf
IPB80N06S2H5ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2H5ATMA2 4425944.pdf
IPB80N06S2H5ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S2H5ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 5200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.