IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 202+ | 153.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB80N06S2H5ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB80N06S2H5ATMA2 за ціною від 101.57 грн до 294.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB80N06S2H5ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB80N06S2H5ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB80N06S2H5ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB80N06S2H5ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB80N06S2H5ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB80N06S2H5ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
на замовлення 2566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB80N06S2H5ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB80N06S2H5ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB80N06S2H5ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPB80N06S2H5ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPB80N06S2H5ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPB80N06S2H5ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |