IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 221.93 грн |
| 10+ | 137.11 грн |
| 25+ | 121.32 грн |
| 100+ | 105.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 55V, Drain current: 80A, Power dissipation: 210W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.7mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 95nC, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™.
Інші пропозиції IPB80N06S2L07ATMA3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB80N06S2L-07 | Infineon |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB80N06S2L-07 |
Виробник: Infineon
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)