Продукція > INFINEON > IPB80N06S2L06ATMA2
IPB80N06S2L06ATMA2

IPB80N06S2L06ATMA2 INFINEON

3974499.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S2L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+155.98 грн
500+131.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80N06S2L06ATMA2 INFINEON

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 69A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB80N06S2L06ATMA2 за ціною від 93.91 грн до 388.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB80N06S2L06ATMA2 IPB80N06S2L06ATMA2 Виробник : Infineon Technologies IPx80N06S2L-06.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.50 грн
10+173.04 грн
100+122.27 грн
500+93.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 IPB80N06S2L06ATMA2 Виробник : INFINEON 3974499.pdf Description: INFINEON - IPB80N06S2L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+258.31 грн
10+192.29 грн
100+155.98 грн
500+131.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 IPB80N06S2L06ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB80N06S2L_06_DataSheet_v01_00_EN-2320750.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.07 грн
10+185.28 грн
100+115.50 грн
500+94.90 грн
1000+94.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 IPB80N06S2L06ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b80n06s2l-06_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+388.40 грн
50+248.09 грн
61+200.30 грн
100+181.38 грн
200+167.04 грн
500+142.05 грн
1000+133.34 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 IPB80N06S2L06ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b80n06s2l-06_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 IPB80N06S2L06ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b80n06s2l-06_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 IPB80N06S2L06ATMA2 Виробник : Infineon Technologies IPx80N06S2L-06.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.