Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80N06S2L06ATMA2
IPB80N06S2L06ATMA2

IPB80N06S2L06ATMA2 Infineon Technologies

infineonipb80n06s2l06datasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+125.54 грн
2000+123.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80N06S2L06ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 69A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB80N06S2L06ATMA2 за ціною від 90.22 грн до 312.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB80N06S2L06ATMA2 IPB80N06S2L06ATMA2 Infineon Technologies infineonipb80n06s2l06datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+125.65 грн
2000+123.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 IPB80N06S2L06ATMA2 INFINEON 3974499.pdf Description: INFINEON - IPB80N06S2L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 IPB80N06S2L06ATMA2 Infineon Technologies IPx80N06S2L-06.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.87 грн
10+164.62 грн
100+115.47 грн
500+96.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 IPB80N06S2L06ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPB80N06S2L_06_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.56 грн
10+192.10 грн
100+124.05 грн
500+104.31 грн
1000+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 IPB80N06S2L06ATMA2 Infineon Technologies infineonipb80n06s2l06datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+302.81 грн
62+228.32 грн
100+163.36 грн
500+141.13 грн
1000+112.30 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 IPB80N06S2L06ATMA2 INFINEON 3974499.pdf Description: INFINEON - IPB80N06S2L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.47 грн
10+223.66 грн
100+157.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 infineonipb80n06s2l06datasheetv0100en.pdf
IPB80N06S2L06ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+125.65 грн
2000+123.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 3974499.pdf
IPB80N06S2L06ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S2L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+157.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 IPx80N06S2L-06.pdf
IPB80N06S2L06ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+260.87 грн
10+164.62 грн
100+115.47 грн
500+96.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 Infineon_IPB80N06S2L_06_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IPB80N06S2L06ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+293.56 грн
10+192.10 грн
100+124.05 грн
500+104.31 грн
1000+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 infineonipb80n06s2l06datasheetv0100en.pdf
IPB80N06S2L06ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
47+302.81 грн
62+228.32 грн
100+163.36 грн
500+141.13 грн
1000+112.30 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 3974499.pdf
IPB80N06S2L06ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S2L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+312.47 грн
10+223.66 грн
100+157.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.