IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPB80N06S2L07ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 128.89 грн |
| 500+ | 98.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S2L07ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB80N06S2L07ATMA3 за ціною від 79.19 грн до 247.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB80N06S2L07ATMA3 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB80N06S2L07ATMA3 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
на замовлення 751 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB80N06S2L07ATMA3 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB80N06S2L07ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPB80N06S2L07ATMA3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPB80N06S2L07 SMD N channel transistors |
на замовлення 671 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
IPB80N06S2L07ATMA3 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPB80N06S2L07ATMA3 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPB80N06S2L07ATMA3 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPB80N06S2L07ATMA3 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |