Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80N06S2L07ATMA3
IPB80N06S2L07ATMA3

IPB80N06S2L07ATMA3 Infineon Technologies

infineonippb80n06s2l07dsen.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+124.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80N06S2L07ATMA3 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB80N06S2L07ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 6700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB80N06S2L07ATMA3 за ціною від 79.65 грн до 262.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON INFNS09574-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80N06S2L07ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 6700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07ATMA3 Infineon Technologies infineonippb80n06s2l07dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+182.69 грн
500+165.01 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES IPB80N06S2L07.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+226.59 грн
10+139.99 грн
25+123.87 грн
100+107.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07ATMA3 Infineon Technologies Infineon-IPP_B80N06S2L_07-DS-v01_00-en.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.31 грн
10+163.73 грн
100+109.25 грн
500+91.63 грн
1000+79.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON INFNS09574-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80N06S2L07ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 6700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+262.31 грн
10+166.10 грн
100+127.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 INFNS09574-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB80N06S2L07ATMA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S2L07ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 6700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+142.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 infineonippb80n06s2l07dsen.pdf
IPB80N06S2L07ATMA3
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
194+182.69 грн
500+165.01 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07.pdf
IPB80N06S2L07ATMA3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+226.59 грн
10+139.99 грн
25+123.87 грн
100+107.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 Infineon-IPP_B80N06S2L_07-DS-v01_00-en.pdf
IPB80N06S2L07ATMA3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+262.31 грн
10+163.73 грн
100+109.25 грн
500+91.63 грн
1000+79.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 INFNS09574-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB80N06S2L07ATMA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S2L07ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 6700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+262.31 грн
10+166.10 грн
100+127.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.