IPB80N06S2L11ATMA2 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPB80N06S2L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 103.29 грн |
| 500+ | 77.85 грн |
| 1000+ | 66.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB80N06S2L11ATMA2 INFINEON
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 158W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPB80N06S2L11ATMA2 за ціною від 60.16 грн до 204.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB80N06S2L11ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB80N06S2L11ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB80N06S2L11ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
на замовлення 773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB80N06S2L11ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB80N06S2L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPB80N06S2L11ATMA2 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
IPB80N06S2L11ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPB80N06S2L11ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPB80N06S2L11ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPB80N06S2L11ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |