Продукція > INFINEON > IPB80N06S3L-06

IPB80N06S3L-06 INFINEON

Виробник: INFINEON

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPB80N06S3L-06 INFINEON

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 56A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9417 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPB80N06S3L-06

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IPB80N06S3L-06	Виробник : infineon	07+ to-263/d2-pak	на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
IPB80N06S3L-06	Виробник : infineon	to-263/d2-pak	на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
IPB80N06S3L06	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPB80N06S3L-06	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9417 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPB80N06S3L-06	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9417 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.