Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80N06S405ATMA2
IPB80N06S405ATMA2

IPB80N06S405ATMA2 Infineon Technologies

ipp_b_i80n06s4-05_ds_10.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
295+103.96 грн
500+93.56 грн
1000+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80N06S405ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB80N06S405ATMA2 за ціною від 52.90 грн до 172.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB80N06S405ATMA2 IPB80N06S405ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n06s4-05_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
295+103.96 грн
500+93.56 грн
1000+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2 IPB80N06S405ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n06s4-05_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
295+103.96 грн
500+93.56 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2 IPB80N06S405ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-I80N06S4_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d4d5340cec Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.07 грн
10+109.50 грн
100+83.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2 IPB80N06S405ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_I80N06S4_05_DS_v01_00_en-1226657.pdf MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.55 грн
10+118.89 грн
100+77.72 грн
500+67.08 грн
1000+55.46 грн
2000+52.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2 IPB80N06S405ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n06s4-05_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2 IPB80N06S405ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n06s4-05_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-I80N06S4_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d4d5340cec Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 320A; 107W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2 IPB80N06S405ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-I80N06S4_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d4d5340cec Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-I80N06S4_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d4d5340cec Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 320A; 107W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.