Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80N06S407ATMA2
IPB80N06S407ATMA2

IPB80N06S407ATMA2 Infineon Technologies

infineoni80n06s407dsv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+76.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80N06S407ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB80N06S407ATMA2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність _PRICE_WITHOUT_VAT
IPB80N06S407ATMA2 IPB80N06S407ATMA2 Infineon Technologies infineoni80n06s407dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+76.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2 IPB80N06S407ATMA2 Infineon Technologies infineoni80n06s407dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+104.08 грн
500+93.68 грн
1000+86.38 грн
10000+74.27 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2 IPB80N06S407ATMA2 Infineon Technologies Infineon-I80N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038dc68c00cf5 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.77 грн
10+94.98 грн
100+64.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2 IPB80N06S407ATMA2 Infineon Technologies Infineon_I80N06S4_07_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.68 грн
10+120.67 грн
100+71.80 грн
500+60.54 грн
1000+53.92 грн
2000+51.02 грн
5000+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2 infineoni80n06s407dsv0100en.pdf
IPB80N06S407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+76.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2 infineoni80n06s407dsv0100en.pdf
IPB80N06S407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
341+104.08 грн
500+93.68 грн
1000+86.38 грн
10000+74.27 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2 Infineon-I80N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038dc68c00cf5
IPB80N06S407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+153.77 грн
10+94.98 грн
100+64.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2 Infineon_I80N06S4_07_DS_v01_00_en.pdf
IPB80N06S407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+191.68 грн
10+120.67 грн
100+71.80 грн
500+60.54 грн
1000+53.92 грн
2000+51.02 грн
5000+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.