Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80N06S407ATMA2
IPB80N06S407ATMA2

IPB80N06S407ATMA2 Infineon Technologies

Infineon_I80N06S4_07_DS_v01_00_en.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.36 грн
10+104.11 грн
100+63.06 грн
500+54.87 грн
1000+46.21 грн
2000+45.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80N06S407ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB80N06S407ATMA2 за ціною від 72.22 грн до 171.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB80N06S407ATMA2 IPB80N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-I80N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038dc68c00cf5 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.17 грн
10+106.03 грн
100+72.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2 IPB80N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n06s4-07_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2 IPB80N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n06s4-07_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2 IPB80N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n06s4-07_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2 IPB80N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-I80N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038dc68c00cf5 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.