Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80N06S407ATMA2
IPB80N06S407ATMA2

IPB80N06S407ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-I80N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038dc68c00cf5 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.33 грн
10+96.34 грн
100+68.09 грн
500+54.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80N06S407ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB80N06S407ATMA2 за ціною від 44.19 грн до 137.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB80N06S407ATMA2 IPB80N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_I80N06S4_07_DS_v01_00_en-1731463.pdf MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.77 грн
10+100.76 грн
100+61.03 грн
500+53.10 грн
1000+46.47 грн
2000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2 IPB80N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n06s4-07_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2 IPB80N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n06s4-07_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2 IPB80N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n06s4-07_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2 IPB80N06S407ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-I80N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038dc68c00cf5 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.