Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80N06S4L05ATMA2
IPB80N06S4L05ATMA2

IPB80N06S4L05ATMA2 Infineon Technologies

ipp_b_i80n06s4l-05_ds_10.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
255+121.13 грн
500+108.81 грн
1000+100.54 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80N06S4L05ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V,60V), Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPB80N06S4L05ATMA2 за ціною від 87.41 грн до 205.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB80N06S4L05ATMA2 IPB80N06S4L05ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_I80N06S4L_05_DS_v01_00_en-1730665.pdf MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.72 грн
10+182.68 грн
100+126.93 грн
500+104.13 грн
1000+87.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L05ATMA2 IPB80N06S4L05ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n06s4l-05_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L05ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-I80N06S4L_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038e65fed0d07 Description: MOSFET_)40V,60V)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.