Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80N06S4L07ATMA2
IPB80N06S4L07ATMA2

IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038ea8e6c0d10
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+47.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB80N06S4L07ATMA2 за ціною від 47.87 грн до 151.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies infineonippbi80n06s4l07dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies infineonippbi80n06s4l07dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies infineonippbi80n06s4l07dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+102.57 грн
500+92.31 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies infineonippbi80n06s4l07dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+102.57 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies ipp_b_i80n06s4l-07_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+108.65 грн
141+100.22 грн
179+78.77 грн
200+71.71 грн
500+60.54 грн
1000+55.15 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies infineonippbi80n06s4l07dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+146.57 грн
114+123.26 грн
159+88.51 грн
500+71.66 грн
1000+58.96 грн
2000+52.82 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038ea8e6c0d10 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.64 грн
10+93.69 грн
100+63.80 грн
500+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 INFINEON INFNS14122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I80N06S4L_07_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 INFINEON INFNS14122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038ea8e6c0d10
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 infineonippbi80n06s4l07dsv0100en.pdf
IPB80N06S4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+67.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 infineonippbi80n06s4l07dsv0100en.pdf
IPB80N06S4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 infineonippbi80n06s4l07dsv0100en.pdf
IPB80N06S4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
343+102.57 грн
500+92.31 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 infineonippbi80n06s4l07dsv0100en.pdf
IPB80N06S4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
343+102.57 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 ipp_b_i80n06s4l-07_ds_10.pdf
IPB80N06S4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+108.65 грн
141+100.22 грн
179+78.77 грн
200+71.71 грн
500+60.54 грн
1000+55.15 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 infineonippbi80n06s4l07dsv0100en.pdf
IPB80N06S4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+146.57 грн
114+123.26 грн
159+88.51 грн
500+71.66 грн
1000+58.96 грн
2000+52.82 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038ea8e6c0d10
IPB80N06S4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.64 грн
10+93.69 грн
100+63.80 грн
500+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 INFNS14122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB80N06S4L07ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon_IPP_B_I80N06S4L_07_DS_v01_00_en.pdf
IPB80N06S4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 INFNS14122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB80N06S4L07ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038ea8e6c0d10
Виробник: Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.