Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPB80N08S207ATMA1
IPB80N08S207ATMA1

IPB80N08S207ATMA1

Infineon-IPP_B_I80N08S2_07_GREEN-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426df983adf&ack=t
Код товару: 118496
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPB80N08S207ATMA1 за ціною від 180.21 грн до 390.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB80N08S207ATMA1 IPB80N08S207ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N08S2_07_GREEN-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426df983adf&ack=t Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+390.29 грн
10+250.75 грн
100+180.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S207ATMA1 IPB80N08S207ATMA1 INFINEON INFNS09207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80N08S207ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 7100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S207ATMA1 IPB80N08S207ATMA1 INFINEON Infineon-IPP_B_I80N08S2_07_GREEN-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426df983adf&ack=t Description: INFINEON - IPB80N08S207ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 7100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S207ATMA1 Infineon-IPP_B_I80N08S2_07_GREEN-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426df983adf&ack=t
IPB80N08S207ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+390.29 грн
10+250.75 грн
100+180.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S207ATMA1 INFNS09207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB80N08S207ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N08S207ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 7100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S207ATMA1 Infineon-IPP_B_I80N08S2_07_GREEN-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426df983adf&ack=t
IPB80N08S207ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N08S207ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 7100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.