Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80N08S2L07ATMA1
IPB80N08S2L07ATMA1

IPB80N08S2L07ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPP_B80N08S2L_07_GREEN_DS_v01_01_en-1731843.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.08 грн
10+310.49 грн
25+255.28 грн
100+218.50 грн
250+205.99 грн
500+194.22 грн
1000+166.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80N08S2L07ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPB80N08S2L07ATMA1 за ціною від 271.05 грн до 420.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB80N08S2L07ATMA1 IPB80N08S2L07ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B80N08S2L_07_GREEN-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426e2333ae3&ack=t Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+420.98 грн
10+271.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S2L07ATMA1 IPB80N08S2L07ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6369ipp_b80n08s2l-07_green.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c9000.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S2L07ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B80N08S2L_07_GREEN-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426e2333ae3&ack=t IPB80N08S2L07 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S2L07ATMA1 IPB80N08S2L07ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B80N08S2L_07_GREEN-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426e2333ae3&ack=t Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.